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Micro LED次世代顯示技術(shù)蓄勢(shì)待發(fā)

來(lái)源:數(shù)字音視工程網(wǎng)        編輯:胡燕    2017-06-07 14:05:53     加入收藏    咨詢

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各大巨頭積極布局,Micro LED 商業(yè)化曙光已現(xiàn)。技術(shù)及成本是主要瓶頸,大規(guī)模應(yīng)用尚需時(shí)日。目前Micro LED 面臨的主要技術(shù)難題在于巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)(Mass Transfer)。目前Micro LED 顯示技術(shù)上帶來(lái)的制造成本仍高達(dá)現(xiàn)有顯示產(chǎn)品的3~4 倍……

  Micro LED 異軍突起,應(yīng)用潛力極大。Micro LED 是新一代的顯示技術(shù),即微型化的LED 陣列,將LED 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化,使其體積大約為常用LED 大小的1%,其中每一個(gè)像素點(diǎn)定制,單獨(dú)驅(qū)動(dòng)發(fā)光,像素點(diǎn)的距離由原先的毫米級(jí)降低到微米級(jí)。Micro LED 制備工藝結(jié)合了MOEMS 技術(shù)和LED 制備工藝,具有重復(fù)性好,一致性好等優(yōu)點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)超高分辨率(1500ppi 以上),且發(fā)光壽命長(zhǎng),材料穩(wěn)定性好,可以避免OLED 器件的殘影現(xiàn)象,未來(lái)商用潛力極大。

  效率更高,功耗更小,Micro LED 有望大幅延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。近年來(lái)OLED 領(lǐng)域,發(fā)光材料的效率已獲持續(xù)改進(jìn),但相比之下,LED 發(fā)光效率依然是最高的,約為OLED 的兩倍左右,而Micro-LED 的發(fā)光效率大約是LED 的4 倍左右。Micro LED只需消耗LCD 和OLED 10%-20%的能量,而通常屏幕耗能占智能手機(jī)總耗能50%-60%,使用Micro LED 有望大幅降低手機(jī)耗能,提供更長(zhǎng)的電池續(xù)航力。

  各大巨頭積極布局,Micro LED 商業(yè)化曙光已現(xiàn)。據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果今年將在臺(tái)灣對(duì)搭載Micro LED 的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試,并率先推出一批使用該技術(shù)的AppleWatch。隨后不排除會(huì)在蘋(píng)果手機(jī)上應(yīng)用Micro LED 顯示屏。蘋(píng)果早在2014 年就收購(gòu)研發(fā)Micro-LED 的公司LuxVue,多年來(lái)技術(shù)儲(chǔ)備不斷增加,專(zhuān)利儲(chǔ)備豐富。此外,近日鴻海對(duì)外公告,為了布局繼OLED 之后最有希望的新世代顯示技術(shù)Micro LED,公司透過(guò)子公司CyberNet 投資約資1,000 萬(wàn)美元取得eLux 部分股份,elux 在Micro LED 轉(zhuǎn)移技術(shù)方面已有專(zhuān)利布局。

  同時(shí),不同于蘋(píng)果等大廠有意將Micro LED 應(yīng)用于穿戴式裝置或手機(jī)產(chǎn)品,Sony 率先展示采用Micro LED 技術(shù)生產(chǎn)的110 吋室內(nèi)大型顯示器CLEDIS(Crystal LED Integrated Structure),畫(huà)質(zhì)與對(duì)比度均令外界驚艷。此外,國(guó)外相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)還有美國(guó)德州理工大學(xué)、美國(guó)伊利諾大學(xué)、英國(guó)史崔克萊大學(xué)等等。據(jù)LEDinside 報(bào)道,如果按照全面取代現(xiàn)有液晶顯示器的零組件的規(guī)模來(lái)估算,包括背光模塊、液晶、偏光板等,未來(lái)Micro LED 的潛在市場(chǎng)規(guī)模約可達(dá)300-400 億美元。

  技術(shù)及成本是主要瓶頸,大規(guī)模應(yīng)用尚需時(shí)日。目前Micro LED 面臨的主要技術(shù)難題在于巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)(Mass Transfer)。與LED 的制備方法類(lèi)似,Micro LED可以在藍(lán)寶石襯底上以蝕刻方式制作,但難點(diǎn)在于Micro LED 制備需將傳統(tǒng)LED陣列化、微縮化后定址巨量轉(zhuǎn)移到電路基板上,形成超小間距LED,以實(shí)現(xiàn)超高像素、超高解析率。整個(gè)制程對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程要求極高,良率需達(dá)99.9999%,精度需控制在正負(fù)0.5μm 內(nèi),難度極高。

  目前轉(zhuǎn)移相關(guān)技術(shù)有范德華力、靜電吸附、相變化轉(zhuǎn)移、激光燒蝕四種,但相關(guān)工藝仍未成熟。此外,根據(jù)估算,目前Micro LED 顯示技術(shù)上帶來(lái)的制造成本仍高達(dá)現(xiàn)有顯示產(chǎn)品的3~4 倍,因而廠商正積極透過(guò)增加產(chǎn)品附加價(jià)值,以及改善芯片、轉(zhuǎn)移技術(shù)良率以達(dá)到成本下降目標(biāo),估計(jì)若要取代現(xiàn)有LCD 產(chǎn)品還需3~5 年的時(shí)間。

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