Micro-LED 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的難點(diǎn)與突破全解析（二）

　　1. 為什么巨量轉(zhuǎn)移的檢測(cè)是關(guān)鍵步驟？

　　巨量轉(zhuǎn)移檢測(cè)是確保屏體質(zhì)量的關(guān)鍵步驟，旨在識(shí)別并精確定位制程中的壞點(diǎn)，然后將這些坐標(biāo)輸出給修復(fù)工藝，以提高屏體的點(diǎn)亮良率和畫質(zhì)。目前，檢測(cè)方式主要包括外觀檢測(cè)、光學(xué)檢測(cè)和電學(xué)檢測(cè)，分別在Wafer端、制程端和屏體端進(jìn)行，以實(shí)現(xiàn)對(duì)過(guò)程不良的精準(zhǔn)檢測(cè)。此外，為了應(yīng)對(duì)Micro-LED芯片光學(xué)均一性不足的問(wèn)題，辰顯光電采用了混bin技術(shù)，通過(guò)光學(xué)和電學(xué)檢測(cè)對(duì)Micro-LED來(lái)料進(jìn)行精確分類，從而提升顯示效果。

　　2. 目前行業(yè)在巨量轉(zhuǎn)移檢測(cè)中面臨哪些主要挑戰(zhàn)？

　　隨著Micro-LED芯片的微縮化，傳統(tǒng)檢測(cè)方案和設(shè)備難以滿足需求。首先，電學(xué)檢測(cè)面臨的挑戰(zhàn)在于每個(gè)顯示器需檢測(cè)的LED數(shù)量達(dá)到數(shù)十萬(wàn)乃至上千萬(wàn)顆，受限于Micro-LED 芯片一般小于50μm，現(xiàn)有檢測(cè)效率還處在1～2秒的階段，還無(wú)法滿足 LED全檢要求。其次，檢測(cè)精度要求極高，Micro-LED制程中對(duì)于精度的要求一般在2μm以內(nèi)，高PPI產(chǎn)品甚至需要1μm以內(nèi)的精度。這對(duì)于 Micro-LED 芯片從晶圓到中間臨時(shí)基板再到背板的各個(gè)環(huán)節(jié)的精度檢測(cè)提出了極高要求，必須結(jié)合智能算法和高精度數(shù)據(jù)采集硬件才能達(dá)成。

　　3. 辰顯光電如何構(gòu)建高效的巨量轉(zhuǎn)移檢測(cè)流程？

　　辰顯光電在巨量轉(zhuǎn)移工藝中布置了多個(gè)檢測(cè)站點(diǎn)，以提高一次轉(zhuǎn)移良率和精準(zhǔn)修復(fù)能力。首先，Micro-LED Wafer來(lái)料時(shí)會(huì)進(jìn)行外觀(AOI)、光學(xué)(PL)和電學(xué)(EL)檢測(cè)，確保 Micro-LED 的來(lái)料良率和光電信息，集中修復(fù)不良點(diǎn)位。在轉(zhuǎn)移制程中，通過(guò)AOI檢測(cè)確定制程中的不良因素，如缺失、偏位等，進(jìn)行及時(shí)修復(fù)。最后，針對(duì)鍵合后的屏體進(jìn)行CT檢測(cè)，檢查屏體光學(xué)品質(zhì)，包括亮暗點(diǎn)、異常顯示、亮度和波長(zhǎng)一致性等，并將檢測(cè)出的壞點(diǎn)坐標(biāo)輸出給下一站點(diǎn)修復(fù)。最終通過(guò)層層檢測(cè)和修復(fù)，辰顯光電能夠生產(chǎn)出高畫質(zhì)、零暗點(diǎn)的屏體。

　　4. 辰顯光電采用了哪些國(guó)內(nèi)首臺(tái)設(shè)備或技術(shù)進(jìn)行檢測(cè)？

　　辰顯光電十分重視與國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商密切合作，在Micro-LED產(chǎn)業(yè)化初期即引入了多項(xiàng)國(guó)內(nèi)先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備，特別是在檢測(cè)方面，涵蓋了AOI、PL、CT等關(guān)鍵檢測(cè)環(huán)節(jié)，確保檢測(cè)流程的高效性和準(zhǔn)確性。由于Micro-LED是新興技術(shù)，隨著對(duì)技術(shù)和工藝要求的不斷提升，辰顯光電與設(shè)備廠商共同推進(jìn)設(shè)備與技術(shù)的迭代，合作開發(fā)出了多個(gè)國(guó)內(nèi)首臺(tái)套設(shè)備，進(jìn)一步推動(dòng)了Micro-LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。